Разработка ученых МИФИ повысит конкурентоспособность отечественных радиоэлектронных устройств

15
июня
2016

pУченые Института функциональной ядерной электроники НИЯУ МИФИ разработали технологический процесс изготовления монолитных интегральных схем малошумящего усилителя и усилителя средней мощности, который соответствует требованиям развития современной электроники ndash; миниатюризации, минимальному энергопотреблению и максимальной надежности./p

pПредпосылками для создания новой технологии послужило фактическое отсутствие в России серийного производства таких микросистем, в связи с чем отечественные производители работают с западной продукцией или отечественными микросхемами, которые зачастую уступают иностранным в надежности, габаритах и быстродействии. Уникальная технология, предложенная специалистами МИФИ, составит основу получения конкурентоспособных на мировом рынке многофункциональных интегрированных радиоэлектронных устройств нового поколения на основе высокоплотных электронных модулей, которые смогут iэффективно заменить зарубежные аналоги/i. /p

pНа первом этапе учеными НИЯУ МИФИ была разработана технология изготовления МНЕМТ гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках арсенида галлия диаметром 2 и 3 дюйма по метаморфной технологии, при этом содержание InAs в активных слоях составляло - 37%. /p

pЭти гетероструктуры стали базовым материалом для создания малошумящих СВЧ усилителей средней мощности на частоты диапазона до 40 ГГц. Для роста гетероструктур использовалась установка молекулярно-лучевой эпитаксии Riber Compact 21 T. В результате проведенной работы были достигнуты параметры МНЕМТ гетероструктур, соответствующие лучшим мировым аналогам./p

pНа втором этапе ученые Института функциональной ядерной электроники разработали планарную технологию изготовления монолитной интегральной схемы (МИС) усилителей для СВЧ приемопередающего высокоплотного электронного модуля на пластинах 2 и 3 дюйма, с использованием контактной фотолитографии при формировании мезы, металлизации омических контактов, вскрытия окон в диэлектрике и обтрава гальванической металлизации. На рисунке представлена топология разработанной МИС малошумящего усилителя./p

p align=centerimg src=/content/imported/upload/medialibrary/788/ris.jpg title=ris.jpg border=0 alt=ris.jpg width=536 height=244 //p

p align=centerbРис. Топология МИС малошумящего усилителя/b/p

p /p

pВ работе над проектом, в качестве соисполнителя, принимали участие сотрудники АО laquo;МРТИ РАНraquo;. Ими были выполнены работы по изготовлению основания и сборки СВЧ приемопередающего высокоплотного электронного модуля с использованием комплектующих МИС, изготовленных в НИЯУ МИФИ./p

pПо словам одного из исполнителей проекта, сотрудника Института функциональной ядерной электроники С.М.Рындя, iпредлагаемый технологический процесс изготовления СВЧ приемопередающего высокоплотного электронного модуля (ВПЭМ) является перспективным, соответствует ряду требований современной электроники: увеличения функциональной плотности, снижения габаритов и массы, увеличения надежности и микроминиатюризации./i/p
Монолитные интегральные схемы малошумящего усилителя и усилителя средней мощности, изготовленные по технологии, предложенной нашими учеными, найдут применение в российских приборах, комплексах и системах в промышленности, безопасности, медицине, транспорте, жилищно-коммунальной сфере, а также в системах связи и коммуникаций, реализуемых в мобильных, бортовых и малогабаритных комплексах, в том числе

8