Письмо ректору

  Телефонный   справочник

    Электронная     почта

  Министерство образования и науки РФ
5-100.png Программа повышения конкурентоспособности
Противодействие коррупции
Наука и образование против террора
Диссертационные советы
Российский студенческий центр
Социальный навигатор
Оформление социальной студенческой карты
Study in Russia
NEVOD.png Уникальная научная установка НЕВОД
TEMP.png Турнир «ТеМП 2018»
eend_fond.png Эндаумент-фонд НИЯУ МИФИ



История кафедры

Кафедра микроэлектроники создана в МИФИ в 1965 г.

МИФИ - первый вуз в СССР, который начал подготовку специалистов в области микроэлектроники

Заведующий кафедрой c 1997 года, доктор технических наук профессор В.С. Першенков

В 1962 г. По заказу редакции журнала "Радиотехника" И.П.Степаненко и Л.Н.Патрикеев опубликовали в нем обзор "Современное состояние и перспективы развития микроэлектроники". В августе того же года ЦК КПСС и Совет Министров СССР принял постановление N 831-353 о создании в г. Зеленограде Центра микроэлектроники и об открытии в 11 ведущих вузах страны Проблемных лабораторий микроэлектроники. В число этих вузов был включен и МИФИ. Научное руководство лабораторией было поручено И.П.Степаненко.

Более 5 лет на кафедре микроэлектроники МИФИ работают учебно-методические центры по разработке микропроцессорных систем, оборудованные компаниями Motorola и Cadence.

Фундаментальные результаты работ проблемной лаборатории в первые же годы ее деятельности - теория приборов с S-образной характеристикой, разработка элементов памяти на полевых транзисторах, разработка универсальной варанторной схемотехники - позволили укрепить авторитет МИФИ. Не случайно, что именно в МИФИ 1 февраля 1965г. была приказом Минвуза организована первая в стране кафедра микроэлектроники.

В организации подготовки специалистов на этой новой кафедре приняли участие : Степаненко И.П. (зав. кафедрой), Патрикеев Л.Н. (зам по учебной и научной работе), Кузьмин В.А., Рогачева О.И., Родионов Ю.П., Абриташина И.А. Зав. Лабораториями - Окороков В.Г., секретарь - Шенина Р.В.

Сотрудниками и учащимися кафедры проводятся разработки по проекту АТЛАС в рамках образовательного центра на базе CRDF и Минобразования РФ.

В формировании общего подхода и подготовке специалистов, интегрирующего обучение по трем основным составляющим - физике, схемотехнике и технологии - активно участвовали : Моин И.И., Ройзин Н.М., Малин Б.В., Алексенко А.Г., Арутюнов П.А., Тимофеев В.Ю., Гусев К.Т., Кириллов-Угрюмов В.Г.

В закладке фундамента новой специальности непосредственно участвовали Мочалкина О.Р., Шагурин И.И., Самохвалов М.М., Спасский Р.Д., Ваганов В.К., Лебедев В.И., Першенков В.С., Тарасов В.И., Старосельский В.Н., Воронкова Г.М., Ожогин М.А., Зайцев Б.Д., Большов В.И.

На кафедре организован институт изучения поведения микроэлектронных и биологических систем в космосе, возглавляемый лётчиком-космонавтом С.В. Авдеевым, выпускником МИФИ.

Сочетание - фундаментальности и равноценной теоретико-практической освоенности всех составляющих микроэлектроники и сегодня составляют особенность подготовки выпускников кафедры микроэлектроники МИФИ.         Первый выпуск на кафедре микроэлектроники состоялся в 1967 г. Выпускников было 13 : Горулько Ю., Житнов Ю., Жеребцов А., Князев И., Костюк И., Коротков В., Кузнецов В., Кузьмин В., Мочкин В., Мазуров Ю., Андрейчук В, Суполенов А., Чивиль В.

Одним из фундаментальных результатов деятельности кафедры является выпуск учебной трилогии "Основы микроэлектроники" Степаненко И.П., "Основы технологии" Мочалкиной О.Р. и Березина А.С. и "Микросхемотехника" Алексенко А.Г. и Шагурина И.И. под общей редакцией И.П. Степаненко.

В начале 1967 года на кафедре Микроэлектроники МИФИ основано научное направление "Радиационная стойкость МОП интегральных микросхем". Тестовые структуры изготавливались в технологической лаборатории кафедры, а исследование радиационных эффектов Поповым В.Д. проводилось в Курчатовском институте (в лаборатории Ухина Николая Андреевича - родоначальника исследований радиационных эффектов в полупроводниковых приборах в нашей стране).

С марта 1968 года и до настоящего времени экспериментальные исследования радиационных эффектов в МОП приборах и интегральных схемах на их основе проводятся на реакторе ИРТ МИФИ.

В 1976 году на кафедре Микроэлектроники МИФИ была организована отраслевая лаборатория ОНИЛ-727 при главном научно-техническом управлении Министерства электронной промышленности СССР. Научная группа вошла в состав этой лаборатории, которая просуществовала до 1993 года.

В 70-е годы и в начале 80-х годов прошлого века в теоретическом плане уточнена модель процесса накопления заряда в подзатворном диэлектрике МОП структуры при воздействии ионизирующего излучения (Попов В.Д. Методы расчета заряда в объеме диэлектрика МДП-структуры по ее вольт-фарадной характеристике. //Микроэлектроника. 1973. Том 2. Вып.4. С.353-360), разработана теория процесса образования поверхностных состояний при облучении МОП структур (Попов В.Д., Ройзин Н.М. Роль ионизации в образовании поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник. //Микроэлектроника. 1973. Том 2. Вып.6. С.560-564) и впервые показана связь радиационных эффектов в планарных приборах с механическими напряжениями в них (Тензорадиационный эффект в полупроводниковых структурах./Л.Н.Линник, Л.Н.Патрикеев, В.Д.Попов, Н.М.Ройзин // Известия ВУЗов - Радиоэлектроника. 1982.Том XXV. №5. С.90-92). посмотреть публикации (1 и 2 в списке)

С конца 80-х годов прошлого века сформировались два основных направления научных исследований:
  • применение радиационно-термической обработки МОП интегральных микросхем для отбраковки образцов с аномально низкой радиационной стойкостью;
  • исследование особенности низкоинтенсивного радиационного воздействия на МОП интегральные микросхемы (так называемого "эффекта низкой интенсивности").
Результаты работ по применению радиационно-термической обработки МОП интегральных микросхем на пластине в процессе серийного производства дали прекрасный результат - повысился процент выхода годных изделий и их надежность (Попов В.Д., Катеринич И.И., Курин Ф.М. Радиационная технология: уникальные возможности в производстве МОП-интегральных схем.- Chip News. 1997. №3(12). С. 20-22). Кроме того, радиационно-термическая обработка явилась мощным средством диагностики технологического процесса производства МОП интегральных микросхем (Катеринич И., Попов В. Метод диагностики технологического процесса изготовления МОП ИС с использованием радиационно-термических процессов. // Chip News. 2003. №7(80). С.50-53). Эти исследования показали, что правильно примененное радиационное воздействие может улучшить характеристики МОП интегральных микросхем.

Результаты исследований эффекта низкой интенсивности показали основную роль эмиссии в диэлектрик горячих электронов, образующихся при ионизации в материалах полупроводника и затвора МОП структур (Влияние мощности дозы ионизирующего излучения на параметры транзисторов в КМОП ИС. / В.А.Болисов, В.И.Верхотуров, В.Д.Попов, А.В.Сизов //Электронная техника. Сер.8. 1991. Вып.5(147). С.60-62 и Popov V.D. A simple model for radiation response of complementary metal-oxide-semiconductor integrated circuits exposed to ionizing cosmic rays. // Radiation Measurements. 1996. Vol.26. No 3. P.497-501). посмотреть публикации (3 и 4 в списке)

В середине 90-х годов начаты работы по разработке "надежностного" подхода к определению радиационной стойкости и исследованию влияния радиации на надежность интегральных микросхем. Результатами этих исследований являются подходы:
  • к определению интенсивности радиационных отказов (Катеринич И.И., Попов В.Д. Определение интенсивности радиационно-стимулированных отказов интегральных схем. Микроэлектроника. 1997. Том 26. №1. С.25-27);
  • к оценке вероятности безотказной работы интегральных микросхем в условиях действия низкоинтенсивного ионизирующего излучения космического пространства (Prediction of integrated circuit serviceability in space radiation fields./ N.M.Khamidullina, N.V.Kuznetsov, K.M.Pichkhadze, V.D.Popov // Radiation Measurements. 1999. Vol.30. P.633-638 и Попов В.Д. Метод прогнозирования времени нормального функционирования интегральных микросхем при низкоинтенсивном (Р<0,1 рад/с) облучении. //Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. Научно-технический сб. Вып. 4. - М.:ЦНИИАтоминформ, 2002. С.91-92);
  • к объяснению сущности "пострадиационного эффекта" - отказа микросхем через некоторое время после облучеия ионизирующим излучением (Попов В.Д. Пострадиационный эффект в ИС. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2002. №4. С.36-39);
  • к определению коэффициента влияния радиации на интенсивность отказов интегральных микросхем (Попов В.Д. Учет влияния радиационного воздействия на надежность интегральных микросхем. // Технология приборостроения. 2002. №3. С.59-67).