Письмо ректору


Новости университета



15.06.2016

Разработка ученых МИФИ повысит конкурентоспособность отечественных радиоэлектронных устройств

Ученые Института функциональной ядерной электроники НИЯУ МИФИ разработали технологический процесс изготовления монолитных интегральных схем малошумящего усилителя и усилителя средней мощности, который соответствует требованиям развития современной электроники – миниатюризации, минимальному энергопотреблению и максимальной надежности.

Предпосылками для создания новой технологии послужило фактическое отсутствие в России серийного производства таких микросистем, в связи с чем отечественные производители работают с западной продукцией или отечественными микросхемами, которые зачастую уступают иностранным в надежности, габаритах и быстродействии. Уникальная технология, предложенная специалистами МИФИ, составит основу получения конкурентоспособных на мировом рынке многофункциональных интегрированных радиоэлектронных устройств нового поколения на основе высокоплотных электронных модулей, которые смогут эффективно заменить зарубежные аналоги.

На первом этапе учеными НИЯУ МИФИ была разработана технология изготовления МНЕМТ гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках арсенида галлия диаметром 2 и 3 дюйма по метаморфной технологии, при этом содержание InAs в активных слоях составляло - 37%.

Эти гетероструктуры стали базовым материалом для создания малошумящих СВЧ усилителей средней мощности на частоты диапазона до 40 ГГц. Для роста гетероструктур использовалась установка молекулярно-лучевой эпитаксии Riber Compact 21 T. В результате проведенной работы были достигнуты параметры МНЕМТ гетероструктур, соответствующие лучшим мировым аналогам.

На втором этапе ученые Института функциональной ядерной электроники разработали планарную технологию изготовления монолитной интегральной схемы (МИС) усилителей для СВЧ приемопередающего высокоплотного электронного модуля на пластинах 2 и 3 дюйма, с использованием контактной фотолитографии при формировании мезы, металлизации омических контактов, вскрытия окон в диэлектрике и обтрава гальванической металлизации. На рисунке представлена топология разработанной МИС малошумящего усилителя.

ris.jpg

Рис. Топология МИС малошумящего усилителя

В работе над проектом, в качестве соисполнителя, принимали участие сотрудники АО «МРТИ РАН». Ими были выполнены работы по изготовлению основания и сборки СВЧ приемопередающего высокоплотного электронного модуля с использованием комплектующих МИС, изготовленных в НИЯУ МИФИ.

По словам одного из исполнителей проекта, сотрудника Института функциональной ядерной электроники С.М.Рындя, предлагаемый технологический процесс изготовления СВЧ приемопередающего высокоплотного электронного модуля (ВПЭМ) является перспективным, соответствует ряду требований современной электроники: увеличения функциональной плотности, снижения габаритов и массы, увеличения надежности и микроминиатюризации.

Монолитные интегральные схемы малошумящего усилителя и усилителя средней мощности, изготовленные по технологии, предложенной нашими учеными, найдут применение в российских приборах, комплексах и системах в промышленности, безопасности, медицине, транспорте, жилищно-коммунальной сфере, а также в системах связи и коммуникаций, реализуемых в мобильных, бортовых и малогабаритных комплексах, в том числе

Количество показов: 751

Возврат к списку


Добавить комментарий