Письмо ректору

  Телефонный   справочник

    Электронная     почта

  Министерство образования и науки РФ
5-100.png Программа повышения конкурентоспособности
Противодействие коррупции
Наука и образование против террора
Диссертационные советы
Российский студенческий центр
Социальный навигатор
Оформление социальной студенческой карты
Study in Russia
NEVOD.png Уникальная научная установка НЕВОД
TEMP.png Турнир «ТеМП 2018»
eend_fond.png Эндаумент-фонд НИЯУ МИФИ



Новости университета



22.07.2016

Сотрудники МИФИ ведут работу по обеспечению стойкости СВЧ интегральных схем к импульсному воздействию ионизирующего излучения

Одним из подходов к обеспечению стойкости СВЧ интегральных схем на основе GaAs к импульсному воздействию ионизирующего излучения является применение топологических решений, направленных на снижение амплитуды ионизационного тока через GaAs подложку. Сотрудниками Института экстремальной прикладной электроники проведена оценка амплитуды ионизационного тока при импульсном ионизирующем воздействии в типовом фрагменте топологии интегральных схем многоразрядных фазовращателей и аттенюаторов, состоящем из параллельно расположенных на GaAs подложке полосковых линий. Анализ результатов экспериментальных исследований указанных микросхем показал, что амплитуда импульсной реакции тока в цепи управления в момент воздействия в основном определяется ионизационным током между шинами металлизации, лежащими непосредственно на GaAs подложке (металлизация 1-ого уровня) и не имеет прямого отношения к импульсной реакции pHEMT транзисторов.

Установлено, что наличие в топологии протяженных параллельно расположенных шин металлизации 1-ого уровня на расстоянии 10…50 мкм друг от друга (типовое значение для линий передачи в цепях управления), может вносить существенный вклад в полный ионизационный ток (расчетное амплитудное значение составляет десятки … сотни мА). В качестве решения по снижению амплитуды ионизационного тока в цепях управления рекомендовано расположенные рядом фрагменты топологии изготавливать в верхнем слое металлизации, отделенном от GaAs подложки изолирующим окислом.


Количество показов: 668

Возврат к списку


Добавить комментарий