Работа сотрудников ИЭПЭ НИЯУ МИФИ победила на Международной конференции RADECS в номинации «Лучший доклад»
24
марта
2016
Появилась информация о результатах подведения итогов прошлогодней конференции RADECS-2015. Работа авторов из Института экстремальной прикладной электроники НИЯУ МИФИ А.А. Печенкина, П.В.Некрасова, А.Б. Боруздиной и Д.Е. Протасова "SEL Sensitivity Differences in ICs with Same Crystals Marking" победила в номинации Лучший доклад RADECS Data Workshop 2015.
В работе были продемонстрированы и объяснены различия в радиационном поведении визуально идентичных полупроводниковых кристаллов современных интегральных схем при воздействии ионизирующего излучения космического пространства.
Подтверждение радиационной стойкости интегральных микросхем является актуальной задачей при комплектовании бортовой аппаратуры современных космических аппаратов с длительным сроком активного существования.
13
