Сотрудники Института экстремальной прикладной электроники приняли участие в обсуждении проблем создания специализированных радиационно-стойких СБИС

В марте 2016 года состоялся XVI научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». Организатор семинара ФГУП Федеральный научно-производственный центр «НИИИС им. Ю.Е. Седакова». Традиционно семинар проходил в ДОЦ «Сережа» (Нижегородская область, Вадский район, село Крутой Майдан). От НОЦ «СТОЙКОСТЬ» (АО «ЭНПО СПЭЛС» и ИЭПЭ НИЯУ МИФИ) на семинаре присутствовали А.В.Уланова, А.В.Печенкин, А.Б.Боруздина и Ю.М.Московская со следующими устными докладами:

1. А.В.Уланова, В.А.Телец, А.Ю.Никифоров, О.А.Калашников, Д.В.Бойченко (ИЭПЭ НИЯУ МИФИ, АО «ЭНПО СПЭЛС»), А.Н.Щепанов (ФГУП «МНИИРИП»). Обобщенные результаты исследования характеристик ЭКБ отечественного производства с топологическими нормами менее 0,35 мкм по критериям радиационной стойкости.

2. Печенкин А.А., Чумаков А.И., Савченков Д.В., Новиков А.А., Яненко А.В. (ИЭПЭ НИЯУ МИФИ, АО «ЭНПО СПЭЛС»). Современный подход к оценке стойкости ЭКБ при воздействии отдельных ядерных частиц с рациональным сочетанием ускорителей и лазерных установок.

3. Ю.М.Московская, А.Ю.Никифоров, Д.В.Бойченко (ИЭПЭ НИЯУ МИФИ, АО «ЭНПО СПЭЛС»), А.Н.Денисов (НПК «Технологический центр» МИЭТ), И.Б.Яшанин (ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова»). Современное состояние и методы контроля стойкости ЭКБ к воздействию спецфакторов на этапе производства.

4. А.Б. Боруздина, А.В. Уланова, А.В. Яненко. (ИЭПЭ НИЯУ МИФИ, АО «ЭНПО СПЭЛС»), А.А. Орлов (Филиал ФГКУ «46 ЦНИИ» Минобороны России»). Функциональные сбои в микросхемах ФРАМ при импульсных и одиночных воздействиях: механизмы возникновения и влияние режима работы.

Доклады наших сотрудников были встречены хорошо, вызвали живой интерес и вопросы.