Количество и качество представленных на конференции «Радиационная стойкость электронных систем» докладов подтвердили высокий научно-технический уровень сотрудников НОЦ «Стойкость»

14
июня
2016

p7-8 июня в г. Лыткарино Московской области состоялась 19-я ежегодная Всероссийская научно-техническая конференция laquo;Радиационная стойкость электронных системraquo; (laquo;Стойкость - 2016raquo;), в которой приняли участие сотрудники НОЦ laquo;Стойкостьraquo; (ИЭПЭ НИЯУ МИФИ и АО laquo;ЭНПО СПЭЛСraquo;). /p

pРабота конференции проходила в двух направлениях: стендовые доклады и устные выступления. Всего для стендового представления были заявлены 123 работы, из которых 45 от сотрудников НОЦ laquo;Стойкостьraquo;. Тезисы вошли в сборник конференции laquo;Стойкость-2016raquo;. Кроме того из 18 устных докладов, 6 было представлено сотрудниками НОЦ laquo;Стойкостьraquo;: /p

div
ol
liiА.И. Чумаков, В.М. Ужегов, А.О. Ахметов, Д.В. Бойченко, А.В. Яненко, Н.В. Рясной/i
br /
Вопросы задания требований по стойкости ИС при воздействии ТЗЧ /li

liiЛ.Н. Кессаринский, Д.В. Бобровский, А.С. Тарараксин, А.И. Чумаков, Д.В. Бойченко/i
br /
Сравнительные исследования одиночных эффектов в микросхемах на ускорителях ионов ОИЯИ (г. Дубна, Россия) и UCL (г. Левин-ла-Нев, Бельгия)/li

liiО.А. Калашников, Д.В. Бойченко, А.Ю. Никифоров, В.А. Телец, А.В. Уланова, А.В. Яненко/i
br /
Обеспечение единого методического подхода при задании и подтверждении требований по радиационной стойкости ЭКБ ОП /li

liiА.А. Печенкин, А.Б. Боруздина, Д.В. Бобровский, А.И. Чумаков, А.В. Яненко/i
br /
Особенности применения лазерных методов испытаний на стойкость к воздействию ТЗЧ для современных суб-100 нм СБИС /li

liiК.М. Амбуркин, Д.В. Громов, В.В. Елесин, Г.В. Чуков/i
br /
Аппаратно-программный зондовый комплекс для исследовательских испытаний некорпусированных изделий ТСВЧ/li

li
br /
/li

libi6. /i/biА.В. Согоян, Г.Г. Давыдов, А.С. Артамонов, А.С. Колосова, В.А. Телец, А.Ю. Никифоров, Ю.А. Ожегин, А.С. Каменева/i
br /
Идентификация производителя цифровых интегральных микросхем по результатам радиационных испытаний /li
/ol
/div

p /p

pКоличество и качество докладов вновь подтвердили высокий научно-технический уровень НОЦ laquo;Стойкостьraquo; (ИЭПЭ НИЯУ МИФИ и АО laquo;ЭНПО СПЭЛСraquo;)./p

p /p

19