В Институте функциональной ядерной электроники нашли способ ускорить процесс травления карбида кремния

СВЧ транзисторы на гетероструктурах AlGaN/GaN на подложках карбида кремния (SiC) являются одним из самых перспективных направлений современной наноэлектроники. На конечном этапе создания таких приборов проводится травление сквозных отверстий с последующей металлизацией обратной стороны пластины. В Институте функциональной ядерной электроники НИЯУ МИФИ провели исследование технологии глубокого высокоскоростного травления карбида кремния в плазмохимическом процессе.

По результатам экспериментов можно сделать вывод, что добавление в газовую смесь инертного газа может существенно ускорить процесс травления за счёт усиления бомбардировки поверхности тяжелыми ионами Ar+, образующимися в индуктивно-связанной плазме. Однако, при достижении потоком Ar величины большей величины потока основного травящего газа (SF₆) скорость процесса травления существенно снижается. Исходя из полученных в работе зависимостей, были определены оптимальные параметры, или их диапазон для проведения высокоскоростного травления карбида кремния.