В рамках школы-семинара по радиационной стойкости электроники сотрудник кафедры №3 представил два тематических доклада

В городе Ялте прошла 10-я Российская летняя школа-семинар «Методы оценки и обеспечения радиационной стойкости изделий электронной техники», в которой приняли участие 50 человек из 23 организаций. Лекции по радиационной стойкости ЭКБ и РЭА прочитали ведущие специалисты из АО «НИИП», НИЯУ МИФИ-АО «ЭНПО СПЭЛС», НИИИСИ РАН, филиала ОАО «ОРКК» - «НИИ КП».

От НИЯУ МИФИ с двумя докладами выступил д.т.н., профессор П.К. Скоробогатов. Темами выступления Петра Константиновича стали: «Измерение характеристик ЭКБ при проведении радиационных испытаний. Выбор критериальных параметров, методы и средства измерения» и «Роль и место расчётных методов моделирования в проблеме исследования радиационной стойкости изделий микроэлектроники».

Представленные доклады вызвали большой интерес среди участников семинара и еще раз подтвердили высокую исследовательскую активность НИЯУ МИФИ в области контроля и обеспечения радиационной стойкости изделий микроэлектроники. В целом слушатели отметили актуальность тематики летней школы и выразили большую заинтересованность в дальнейшем развитии и расширении программы лекций.