Письмо ректору

Телефонный справочник

    Электронная     почта


штаб.jpg



ВСО.jpg
 1.png Министерство науки и высшего образования РФ
5-100.png Программа повышения конкурентоспособности
Противодействие коррупции
Наука и образование против террора
Диссертационные советы
Социальный навигатор
Оформление социальной студенческой карты
Study in Russia
NEVOD.png Уникальная научная установка НЕВОД
TEMP.png Турнир «ТеМП»
50x75.png Международная олимпиада для студентов
Олимпиада «Я - профи»




Новости университета



06.05.2020

Сотрудники лаборатории нано-биоинженерии улучшили характеристики светодиодов на основе квантовых точек: работа в высокорейтинговом журнале Scientific Reports

Сотрудники ЛНБИ Павел Самохвалов, Мария Звайгзне и ведущий учёный лаборатории Игорь Набиев, совместно с коллегами из Института физической химии и электрохимии РАН А.Е. Александровым и Д.А. Лыпенко, опубликовали исследование «Al-, Ga-, Mg-, or Li-doped zinc oxide nanoparticles as electron transport layers for quantum dot light-emitting diodes». Эта работа опубликована в высокорейтинговом журнале Scientific Reports, издаваемом компанией Nature Publishing Group.

В исследовании рассмотрено влияние легирования ZnO, в составе электронно-транспортного слоя такими элементами, как Al, Ga, Mg и Li, на характеристики светодиодов нового поколения — QLED.

Рисунок2.jpg

Коллоидные квантовые точки являются перспективным материалом для оптоэлектронных устройств. Благодаря возможности управления положением максимума излучения, а также высокому квантовому выходу люминесценции, они позволяют изготавливать высокоэффективные яркие светодиоды и дисплеи с широким цветовым охватом. Резкое улучшение характеристик светодиодов на основе квантовых точек (QLED) стало возможно с тех пор, как в качестве электронно-транспортного слоя (ЭТС) стали использовать наночастицы оксида цинка. Высокая подвижность электронов в слое ZnO и возможность тонкой подстройки энергетических зон путем легирования привели к значительному повышению яркости и токовой эффективности устройств.

С начала применения наночастиц ZnO в качестве ЭТС были предложены различные стратегии легирования, которые позволяют дополнительно улучшить характеристики QLED посредством оптимизации энергетической диаграммы устройства, модуляции транспорта электронов и уменьшения нежелательной миграции носителей заряда между активным слоем квантовых точек и ЭТС. Однако выбор подходящего материала ЭТС на основе ZnO часто неоднозначен, поскольку легирование различными элементами приводит к приблизительно сходным характеристикам устройства. Авторы опубликованной работы провели исследование влияния различных легирующих элементов ЭТС на характеристики QLED и провели их сравнительный анализ.

Было обнаружено, что благодаря высокой электронной проводимости и низкой шероховатости поверхности алюминия, легирование ЭТС QLED этим материалом обеспечивает наилучшие характеристики устройства с точки зрения яркости, токовой эффективности и напряжения включения. Результаты исследования могут быть полезны при выборе оптимальных материалов электронно-транспортного слоя для будущего развития технологии QLED.

Scientific Reports — высокорейтинговый международный журнал группы Nature, публикующий только оригинальные исследования и разработки. Журнал практически с момента своего основания стабильно входит в первый квартиль междисциплинарных журналов в международном рейтинге научных журналов (SJR), публикуемом SCImago.

Контакты:

Руководитель группы нанохимии ЛНБИ, старший научный сотрудник, канд. хим. наук П.С. Самохвалов (p.samokhvalov@gmail.com)
Инженер-исследователь, аспирант, М.А. Звайгзне (mariazvaigzne@gmail.com)
Директор по внешним связям М. Г. Коренкова (MGKorenkova@mephi.ru)
Лаборатория нано-биоинженерии, Инженерно-физический институт биомедицины (ИФИБ), Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»,
115409 Российская Федерация, Москва, Каширское шоссе, д. 31


Количество показов: 435

Возврат к списку


Добавить комментарий