Письмо ректору

  Телефонный   справочник

    Электронная     почта

  Министерство образования и науки РФ
5-100.png Программа повышения конкурентоспособности
Противодействие коррупции
Наука и образование против террора
Диссертационные советы
Российский студенческий центр
Социальный навигатор
Оформление социальной студенческой карты
Study in Russia
NEVOD.png Уникальная научная установка НЕВОД
TEMP.png Турнир «ТеМП 2018»
eend_fond.png Эндаумент-фонд НИЯУ МИФИ



Новости университета



05.06.2014

Студенты Массачусетского технологического института (MIT, США) пройдут стажировку в НИЯУ МИФИ

Студент-бакалавр MIT Джейк Хекл (Jake Jordan Hecla) пройдет стажировку в Инжиниринговом центре НИЯУ МИФИ. Цель его работы будет заключаться в модификации существующих схем включения кремниевых фотоумножителей полупроводниковых детекторов, также известных как «твердотельные счетчики фотонов», которые широко используются в физике элементарных частиц, медицине, биологии и других высокотехнологичных областях.

Студентка-бакалавр MIT Камиль Ричман (Camille Elyse Richman) планирует заниматься на кафедре №9 НИЯУ МИФИ высокотемпературной пайкой тугоплавких металлов – вольфрама, молибдена и графита для создания соединения в узле рентгеновской трубки с вращающимся анодом. Ее исследование будет заключаться в подборе химического состава припоя, исследовании припоя методами дифференциально-термического анализа и рентгеновской дифрактометрии, пайку соединений и исследование соединений методом растровой и оптической микроскопии.

Кроме научной работы американские студенты будут изучать русский язык, для них предусмотрены занятия до 6 часов в неделю.

Практика студентов Массачусетского технологического института продлится до 25 августа 2014 года.


Количество показов: 1093

Возврат к списку


Добавить комментарий