Письмо ректору

  Телефонный   справочник

    Электронная     почта

  Министерство науки и высшего образования РФ
5-100.png Программа повышения конкурентоспособности
Противодействие коррупции
Наука и образование против террора
Диссертационные советы
Российский студенческий центр
Социальный навигатор
Оформление социальной студенческой карты
Study in Russia
NEVOD.png Уникальная научная установка НЕВОД
TEMP.png Турнир «ТеМП 2018»
50x75.png Международная олимпиада для студентов
Олимпиада «Я - профи»
eend_fond.png Эндаумент-фонд НИЯУ МИФИ



Новости университета



05.06.2014

Студенты Массачусетского технологического института (MIT, США) пройдут стажировку в НИЯУ МИФИ

Студент-бакалавр MIT Джейк Хекл (Jake Jordan Hecla) пройдет стажировку в Инжиниринговом центре НИЯУ МИФИ. Цель его работы будет заключаться в модификации существующих схем включения кремниевых фотоумножителей полупроводниковых детекторов, также известных как «твердотельные счетчики фотонов», которые широко используются в физике элементарных частиц, медицине, биологии и других высокотехнологичных областях.

Студентка-бакалавр MIT Камиль Ричман (Camille Elyse Richman) планирует заниматься на кафедре №9 НИЯУ МИФИ высокотемпературной пайкой тугоплавких металлов – вольфрама, молибдена и графита для создания соединения в узле рентгеновской трубки с вращающимся анодом. Ее исследование будет заключаться в подборе химического состава припоя, исследовании припоя методами дифференциально-термического анализа и рентгеновской дифрактометрии, пайку соединений и исследование соединений методом растровой и оптической микроскопии.

Кроме научной работы американские студенты будут изучать русский язык, для них предусмотрены занятия до 6 часов в неделю.

Практика студентов Массачусетского технологического института продлится до 25 августа 2014 года.


Количество показов: 1136

Возврат к списку


Добавить комментарий