Письмо ректору

  Телефонный   справочник

    Электронная     почта

  Министерство науки и высшего образования РФ
5-100.png Программа повышения конкурентоспособности
Противодействие коррупции
Наука и образование против террора
Диссертационные советы
Российский студенческий центр
Социальный навигатор
Оформление социальной студенческой карты
Study in Russia
NEVOD.png Уникальная научная установка НЕВОД
TEMP.png Турнир «ТеМП 2018»
50x75.png Международная олимпиада для студентов
Олимпиада «Я - профи»
eend_fond.png Эндаумент-фонд НИЯУ МИФИ



Центр экстремальной прикладной электроники НИЯУ МИФИ

Руководитель подразделения – Телец Виталий Арсеньевич, д.т.н., профессор, директор

Краткая характеристика подразделения – создано для проведения и координации научных исследований и разработок НИЯУ МИФИ в сфере экстремальной электроники (электронная компонентная база, её материалы и компоненты, в том числе изделия микро- и наноэлектроники, электронные модули и радиоэлектронная аппаратура, предназначенные для экстремальных условий и режимов эксплуатации: при воздействии радиационных и электромагнитных факторов естественного и искусственного происхождения, крайних значений электрических режимов и диапазонов рабочих температур, агрессивных сред) и создания инновационных технологий для атомного, космического и оборонного комплексов, укрепления взаимодействия с государственными заказчиками радиоэлектронной продукции.

Центр экстремальной прикладной электроники* (ЦЭПЭ) является экспертной организацией Департамента радиоэлектронной промышленности (ДРЭП) Минпромторга России по оценке и контролю радиационной стойкости электронной компонентной базы (ЭКБ).

Создание экспертной научно-исследовательской организации (ЭО) по оценки и контролю радиационной стойкости ЭКБ ДРЭП Минпромторга России на базе ЦЭПЭ НИЯУ МИФИ утверждено положением от 17.03.2015 г., подписанным директором ДРЭП. ЭО предназначена для содействия выполнению функций в части радиационной стойкости по общему научно-техническому руководству работами по развитию, унификации, стандартизации и применению электронной компонентной базы (ЭКБ), материалов и технологий для их создания, в том числе обеспечение разработки, производства и эксплуатации вооружения, военной и специальной техники и других стратегически значимых объектов государственного и промышленного назначения.

Основные направления научной деятельности – развитие и широкая практическая реализация базовой технологии контроля, оценки и прогнозирования радиационной стойкости электронной компонентной базы (ЭКБ), электронных модулей (ЭМ), радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), разработка и применение расчетно-экспериментальных методов, аппаратных и программных средств, автоматизированных измерительно-испытательных комплексов; фундаментально-поисковые исследования, испытательные, прикладные научно-исследовательские, опытно-конструкторские, прогнозные, экспертные и внедренческие работы по созданию и развитию ЭКБ, ЭМ и РЭА, а также новых технологических процессов и перспективных материалов для них; технологическое, топологическое, схемотехническое, конструкционное и системное проектирование ЭКБ, ЭМ и РЭА; разработка и внедрение средств экологического и радиационного контроля и мониторинга окружающей среды, ресурсосберегающих и экологически чистых технологий при производстве ЭКБ, ЭМ и РЭА; создание и развитие методов и технических средств идентификации подлинности ЭКБ и ЭМ и выявления контрафактной продукции и др.

По закрепленным направлениям деятельности ЦЭПЭ тесно взаимодействует с Институтом функциональной ядерной электроники и Институтом промышленных ядерных технологий НИЯУ МИФИ, с Советами главных конструкторов различных отраслей промышленности, нуждающихся в радиационно-стойкой ЭКБ, представители ЦЭПЭ входят в состав экспертных комиссий федеральных органов исполнительной власти.

Основные (значимые результаты)

За время своего существования ЦЭПЭ принял участие в качестве головной организации и соисполнителя в более 90 НИОКР, выполняемых по заказам министерств, ведомств, крупных интегрированных структур, по созданию и испытаниям радиационно-стойкой ЭКБ, разработке научно-методических основ ее проектирования и изготовления, разработке методов и средств проведения радиационных испытаний ЭКБ.

Специалисты ЦЭПЭ участвовали в экспертизе более 250 технических требований к разрабатываемой ЭКБ, ими проведена оценка более 500 программ-методик испытаний, эксперты ИЭПЭ НИЯУ МИФИ приняли участие в более 200 государственных комиссий по приемке ОКР на изделия ЭКБ.

В составе Научно-образовательного центра «Стойкость» в 2016 году ЦЭПЭ получил «Золотой Чип» – независимую награду за достижения в области электроники. Конкурс «Золотой Чип» на протяжении 14 лет является главным инструментом общественной профессиональной экспертизы разработок и проектов по электронике и зарекомендовал себя как серьезное отраслевое событие, получившее поддержку Депутатов Государственной Думы Российской Федерации, Департамента радиоэлектронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации, Департамента науки, промышленной политики и предпринимательства города Москвы, ГК «Ростехнологии», ГК «РОСАТОМ», Московской торгово-промышленной палаты, Гильдии выставочно-ярмарочных организаций МТПП и крупнейших предприятий отрасли.

Ежегодно специалисты ЦЭПЭ участвуют и выступают с докладами не менее чем в 10 конференциях отраслевого, межотраслевого и международного уровней, включая наиболее престижную конференцию по тематике радиационной стойкости RADECS. Количество статей и докладов сотрудников ЦЭПЭ, индексируемых в Scopus и Web of Science, составляет в среднем от 20 до 50 работ в год.

Контактная информация – тел. (499) З24-0420, VATelets@mephi.ru


______________________________________

* Центр экстремальной прикладной электроники  – Институт экстремальной прикладной электроники до 2018г.
Переименован согласно Приказу от 28.05.2018 №148/1 "О внесении изменений в структуру университета".