Письмо ректору

Тревожная кнопка

Отзывы о преподавателях

Онлайн-обучение
Министерство образования и науки РФ
5-100.png Программа повышения конкурентоспособности
Противодействие коррупции
Наука и образование против террора
Диссертационные советы
Российский студенческий центр
Социальный навигатор
Оформление социальной студенческой карты
Study in Russia







Институт функциональной ядерной электроники Национального исследовательского ядерного университета "МИФИ" (ИФЯЭ НИЯУ МИФИ)

Руководитель подразделения (ФИО, степень, звание и должность).

Руководитель – Каргин Николай Иванович - доктор технических наук, профессор, первый заместитель директора ИФЯЭ.

Краткая характеристика подразделения.

Институт создан по решению Ученого совета Университета (пр. от 26.04.2010г. № 10/06).

Официальное наименование института: Институт функциональной ядерной электроники.

Полное наименование - Институт функциональной ядерной электроники Национального. исследовательского ядерного университета "Московского инженерно-физического института".

Сокращенное наименование - ИФЯЭ НИЯУ МИФИ.

Наименование на английском языке: Institute of Functional Nuclear Electronics NRNU MEPHI.

Сокращенное наименование на английском языке: IFNENRNUMEPHI.

Место расположения - корпус МИФИ №44а.

Код в информационной системе МИФИ - 401.

Место нахождения и почтовый адрес Института: 115409, г.Москва, Каширское ш., д. 31.

Институт функциональной ядерной электроники является учебно-научным структурным подразделением Университета, обеспечивающим проведение учебной, методической, научно-исследовательской, инновационной и воспитательной работы, а также подготовку научно-педагогических кадров и повышение их квалификации.

Основные направления научной деятельности

Основными направлениями научной деятельности Института являются: электронные процессы в сверхвысокочастотных (СВЧ) приборах на квантово-размерных гетероструктурах и разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов; технология и физика квантово-размерных гетероструктур; микро- и нанотехнология формирования коротко-канальных гетероструктурных СВЧ-приборов; расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных СВЧ- приборов на частоты до 200-250ГГц и выше; разработка гетероструктурных монолитных сверхвысокочастотных интегральных схем (СВЧ ИС) и приборов для широкополосных систем беспроводной связи, оптоволоконных линий связи, бортовых радаров, высокочувствительных радиометров и т.д.; исследование и разработка энергосберегающих приборов на основе широкозонных материалов.

Контактная информация (телефон, электронный адрес).

Контактная информация - Тел.: (495) 788-56-99, доб. 8146, NIKargin@mephi.ru