Письмо ректору

  Телефонный   справочник

    Электронная     почта

  Министерство науки и высшего образования РФ
5-100.png Программа повышения конкурентоспособности
Противодействие коррупции
Наука и образование против террора
Диссертационные советы
Российский студенческий центр
Социальный навигатор
Оформление социальной студенческой карты
Study in Russia
NEVOD.png Уникальная научная установка НЕВОД
TEMP.png Турнир «ТеМП 2018»
Олимпиада «Я - профи»
eend_fond.png Эндаумент-фонд НИЯУ МИФИ



Новости университета



02.11.2018

ИНТЭЛ принял участие в ежегодном форуме «Открытые инновации»

Форум проводится в Москве с 2012 года под эгидой Правительства Российской Федерации с целью развития и коммерциализации новейших технологий, популяризации мировых технологических брендов и создания новых инструментов международного сотрудничества в сфере инноваций.

В рамках форума состоялся российско-китайский День науки. Китайскую делегацию возглавил заместитель Министра науки и техники КНР Чжан Цзяньго. На совместном семинаре, посвященном переходу к новым материалам и способам конструирования, директор ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ Каргин Николай Иванович рассказал о новом направлении университета по разработке компонентов интегральной сверхвысокочастотной радиофотоники: «Это одно из перспективных научно-технологических направлений, находящихся на стыке наук СВЧ электроники и фотоники, уникальное сочетание свойств которых позволяет значительно увеличить пропускную способность систем связи, частотный диапазон устройств передачи информации и повысить помехозащищённость приемо-передающих приборов».

1.jpg

Представители Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике Роман Рыжук и Роман Захарченко представили на форуме результаты разработок НОЦ «Нанотехнологии», такие как дискретные транзисторы на платформах GaAs и GaN, матрица светодиодов на основе InGaN, а также усилитель мощности на основе нитрида галлия, предназначенный для использования в приборах радиосвязи, бортовой аппаратуре космических аппаратов, а также объектах с повышенным уровнем радиации.

2.png

Разработки вызвали большой интерес среди представителей научных и коммерческих организаций. Первый заместитель Министра Министерства науки и высшего образования Российской Федерации Трубников Григорий Владимирович достаточно подробно интересовался технологическими деталями процесса изготовления приборов твердотельной электроники.

Генеральный директор дирекции научно-технических программ Петров Андрей Николаевич, в свою очередь, большое внимание уделил вопросу коммерциализации представленных разработок.

В ходе форума участники обменялись информационными материалами и контактными данными.


Количество показов: 143

Возврат к списку


Добавить комментарий