МИФИ принял участие в ХIV научно-технической конференции «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА»
В период с 7 по 9 октября 2015 года сотрудники НИЯУ МИФИ и АО «ЭНПО СПЭЛС» В.В. Елесин, А.Г. Кузнецов, Г.Н. Назарова, Д.И. Сотсков, Г.В. Чуков, Н.А. Усачев приняли участие с устными докладами в XIV научно-технической конференции «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА», которая проходила на территории ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва.
http://pulsarnpp.ru/images/imagespulsar/konf2015/programma_konferencii_2015.pdf
В работе конференции приняли участие более 200 ученых и специалистов из 40 ведущих отечественных предприятий радиоэлектронной отрасли и университетов. На пленарном и 6-ти секционных заседаниях было представлено около 100 устных и стендовых докладов, по следующим научно-техническим направлениям:
- физика полупроводниковых приборов;
- новые полупроводниковые материалы и структуры, технологии их получения;
- полупроводниковые приборы СВЧ, силовой и фотоэлектроники, микроэлектронные приборы;
- твердотельные сложные функциональные блоки радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Аппаратура и приборы космического назначения;
- оборудование, технологии, конструирование полупроводниковых приборов и микроэлектронных систем;
- системы автоматизированного проектирования (методы, средства, программные продукты проектирования) полупроводниковых ИЭТ и твердотельных блоков РЭА;
- оптические, электрические, структурные свойства материалов, методы исследования;
- вопросы качества и надежности в производстве и научных исследованиях;
- экономические аспекты корпоративного управления производством изделий электронной техники.
Труды конференции представлены в сборнике общим объемом 368 стр. формата А5, изданном в печатном виде (ISBN 978-5-9907327-0-4).
Доклады сотрудников НИЯУ МИФИ и АО «ЭНПО СПЭЛС», представленные в секции №5 «Вопросы качества и надежности твердотельной электроники» (руководитель секции – В.Ф. Синкевич, заместитель руководителя секции – В.А. Телец):
|
1. Радиационные эффекты в КМОП КНС ИС ФАПЧ СВЧ-диапазона при импульсном воздействии ионизирующего излучения /Д.И. Сотсков, |
|
2. Радиационная стойкость СВЧ активных смесителей на основе различных полупроводниковых технологий / А.Г. Кузнецов, Г.Н. Назарова, Г.В. Чуков, В.В. Елесин, А.С. Будяков, Е.М. Савченко (доклад представлял Усачев Н.А.) |





