Ученые НИЯУ МИФИ примут участие в форуме «Микроэлектроника-2022»

С 2 по 8 октября в г. Сочи пройдет форум «Микроэлектроника 2022» – основная российская коммуникационная площадка по широкому кругу вопросов стратегии научно-технологического развития радиоэлектронной отрасли. От НИЯУ МИФИ в нем участвует большая делегация во главе с ректором университета Владимиром Шевченко.

На форуме прозвучат доклады НИЯУ МИФИ:

1. «Понятие и критерии доверенности ЭКБ и РЭА, проблемная ситуация и программа заседания». Докладчик – заместитель директора Центра экстремальной прикладной электроники (ЦЭПЭ) НИЯУ МИФИ Александр Никифоров.
2. «Возможности и перспективы отечественного контрактного производства СВЧ ЭКБ и порядок его характеризации». Докладчик – старший научный сотрудник ЦЭПЭ НИЯУ МИФИ Николай Усачев.
3. «Изменение климата – трудности и задачи новой реальности». Докладчик – ведущий научный сотрудник ЦЭПЭ НИЯУ МИФИ Анастасия Уланова.
4. «Какой могла бы быть программа создания отечественных САПР?» Докладчик – инженер-исследователь ЦЭПЭ НИЯУ МИФИ Максим Горбунов.
5. «Реализация гибридного формирования луча для беспроводных сотовых сетей 5G-mimo mmWave с применением двухпозиционного аналогового переключения». Докладчик – руководитель Инжинирингового центра НИЯУ МИФИ Владимир Клоков.
6. «Проблемные вопросы проектирования и верификации микросхемы метки радиочастотной идентификации УВЧ-диапазона». Докладчик – инженер-исследователь ЦЭПЭ РАН Денис Сотсков.
7. «Прогнозирование помехоустойчивости блоков промышленной аппаратуры по результатам испытаний электронных компонентов на воздействие пачек электрических импульсов». Докладчик – старший научный сотрудник ЦЭПЭ РАН Георгий Чуков.
8. «Перспективы использования резистивной памяти в космической аппаратуре». Докладчик – старший научный сотрудник ЦЭПЭ НИЯУ МИФИ Андрей Петров.
9. «На распутье: системы на кристалле против 2,5D/3D-корпусирования». Докладчик – инженер-исследователь ЦЭПЭ НИЯУ МИФИ Максим Горбунов.
10. «Декапсуляция и идентификация ЭКБ по меткам кристаллов, выявление неоднородных и контрафактных партий». Докладчик – заместитель директора Аттестационно-испытательного центра информационной безопасности и систем защиты информации Леонид Кессаринский.
11. «Получение и исследование III-нитридных HEMT-гетероструктур с ультратонким барьером ALN». Докладчик – заместитель директора Центра радиофотоники и СВЧ-технологий НИЯУ МИФИ Александр Гусев.

Специалисты НИЯУ МИФИ также станут модераторами различных заседаний и секций в рамках форума. Проректор НИЯУ МИФИ Николай Каргин выступит в качестве эксперта на обзорном заседании «Потребности и возможности создания новых технологий и доверенных контрактных производств микро- , нано- и СВЧ-электроники».

В форуме также примут участие президент Российской академии наук Геннадий Красников, заместитель министра цифрового развития, связи и массовых коммуникаций России Андрей Заренин и руководитель Федерального агентства по техническому регулированию и стандартизации Антон Шалаев.