В НИЯУ МИФИ прошла 11-ая Международная научно-практическая конференция «Мокеровские чтения»

28 октября в Национальном исследовательском ядерном университете «МИФИ» состоялась 11-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения». Конференция традиционно проводится на базе НИЯУ МИФИ и посвящена памяти выдающегося физика, члена-корреспондента РАН, основателя советской и российской научной школы в области гетероструктурной СВЧ электроники, профессора НИЯУ МИФИ Владимира Григорьевича Мокерова. В текущем году отмечалась памятная дата – 80-летие со дня рождения В.Г. Мокерова.

В этом году из-за непростой эпидемиологической ситуации впервые конференция проведена в комбинированном формате, наряду с очным участием в пленарной сессии использовалось преимущество дистанционного представления и обсуждения докладов через Интернет. Секционные доклады были представлены в 3-х виртуальных залах, а постерная сессия – в индивидуальных виртуальных комнатах для каждого доклада. Это упростило участникам возможность индивидуального выбора докладов и их обсуждения.

Несмотря на объективные сложности, география авторов и участников конференции по-прежнему охватывала всю Россию и некоторые страны ближнего зарубежья. Всего в конференции приняли участие 110 человек из научно-исследовательских, производственных организаций и образовательных учреждений. В конференции более 30 постоянных организаций-участников: это и ведущие университеты, и научно-исследовательские институты Российской академии наук и отраслевого сектора, производственные организации.

Открывая работу конференции, проректор НИЯУ МИФИ Николай Каргин отметил большое значение трудов профессора В.Г. Мокерова как для отечественной СВЧ электроники, так и для НИЯУ МИФИ, и высказал уверенность, что научная школа, созданная Мокеровым, достойно продолжает развитие науки и технологии в области гетероструктурной СВЧ электроники, а его имя по праву увековечено в наименовании института — ИСВЧПЭ имени В.Г.Мокерова РАН.

В текущем году к связи с весенней изоляцией не проводился конкурс Фонда имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г. Мокерова, однако лауреаты конкурса получили возможность отчитаться для получения очередного этапа финансирования. Проведение очередного конкурса запланировано на весну 2021 года. За 11 лет работы Фонда имени В.Г. Мокерова грантополучателями стали более 50 молодых специалистов.

На пленарной сессии с обзорными докладами выступили директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН  Сергей Иванов, член-корреспондент РАН Алексей Жуков, директор ИСВЧПЭ РАН Сергей Гамкрелидзе.

С.В. Иванов представил обзорный доклад о развитии полупроводниковой оптоэлектроники в ФТИ в XX и XXI веке. Он  отметил, что В.Г. Мокеров начинал научный путь в Ленинградском государственном университете в научной группе выдающегося физика Е.Ф. Гросса, который является одним из основателей ленинградской полупроводниковой научной школы.

С.А. Гамкрелидзе отметил развитие работ по созданию  электронной  компонентной  базы миллиметрового диапазона длин волн, начатых еще основателем Института В.Г. Мокеровым. В 2019 году ИСВЧПЭ РАН был установлен гранитный бюст В.Г. Мокерова.

Всего в 2020 году на конференции было представлено 73 доклада, содержащих новые результаты по широкому спектру проблем в следующих областях: фундаментальные аспекты наногетероструктурной СВЧ-электроники; полупроводниковые приборы и устройства: производство, технологии и свойства; перспективные материалы, гетероструктуры и сверхрешетки, двумерные, одномерные и нульмерные структуры; структурные свойства и нанометрологиянаносистем и гетероструктур; терагерцовая электроника и фотоника; функциональная электроника; оптоэлектроника и радиофотоника.

Сборник трудов Конференции, традиционно индексируемый в Российском индексе научного цитирования (РИНЦ) на национальной платформе elibrary.ru, был подготовлен и издан к дате проведения Конференции. Также планируется издание избранных трудов конференций за 2018-2020 годы в журнале IOP Conference Series: Materials Science and Engineering.