Доклады ученых ИЭПЭ вызвали большой интерес участников конференций NSREC-2015 и RAD-2015 из США, Франции, Швейцарии, Австрии, Бельгии и других стран

07
сентября
2015

За время летних каникул ученые Института экстремальной прикладной электроники (ИЭПЭ) НИЯУ МИФИ приняли участие в двух международных конференциях конференции по вопросам влияния космического излучения на изделия электронной техники NSREC 2015 (IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference) и конференции о радиации и ее применении в различных областях науки RAD-2015 (Third International Conference on Radiation and Application in Various Fields of Research).

На конференции NSREC 2015, прошедшей в г. Бостон, США, сотрудниками ИЭПЭ НИЯУ МИФИ Бойченко Д.В., Кессаринским Л.Н. и Боруздиной А.А. представлено 3 стендовых доклада:

1. Temperature dependence of MCU sensitivity in 65 nm CMOS SRAM. Авторы: Боруздина А.Б., Согоян А.В., Смолин А.А., Горбунов М.С., Чумаков А.И., Бойченко Д.В.

2. Electrical mode influence on TID sensitivity of integrated and hybrid DC-DC converters. Авторы: Кессаринский Л.Н., Бойченко Д.В., Борисов А.Я.

3. Experimental Investigation of SELs in SiT8003 MEMS-Oscillators. Авторы: Тарараксин А.С., Кессаринский Л.Н., Печенкин А.А., Демидова А.В., Яненко А.В., Бойченко Д.В., Никифоров А.Ю.

На конференции RAD-2015, проходившей в г. Будва, Черногория, сотрудниками ИЭПЭ НИЯУ МИФИ Скоробогатовым П.К., Борисовым А.Я., Боруздиной А.Б., Давыдовым Г.Г., Демидовой А.В., Колосовой А.С. и Сорокоумовым Г.C. были представлены 1 устный и 7 стендовых докладов в секции «Радиационные эффекты в электронных устройствах и схемах»:

1. Temperature Dependence Of CMOS SRAM Sensitivity To Single Event Effects Авторы: Боруздина А.Б., Уланова А.В., Согоян А.В., Горбунов М.С., Яненко А.В., Никифоров А.Ю. (Устный доклад представляла Боруздина А.Б.)

2. The Nanooptics Effects In Laser DRE And SEE Modeling In Submicron Modern ICs. Авторы: Скоробогатов П.К., Согоян А.В., Давыдов Г.Г., Егоров А.Н., Печенкин А.А.

3. Analysis Of Total Dose Effects In Modern Linear Analog IС’s. Авторы: Борисов А.Я., Белова М.П., Кессаринский Л.Н, Бойченко Д.В., Никифоров А.Ю.

4. Identification Of IC Chips By Ionization Response Comparison On The Example Of OP1177. Авторы: Демидова А.В., Печенкин А.А., Борисов А.Я., Кессаринский Л.Н.

5. Methodical Approach For SEL Sensitivity Estimation Of Different Functional Blocks On A Single Chip Авторы: Печенкин А.А., Савченков Д.В., Боруздина А.Б., Васильев А.Л.

6. Radiation Behavior Features Of The Modern Transceiver ICs Авторы: Давыдов Г.Г., Бойченко Д.В., Яненко А.В., Колосова А.С.

7. Single Event Transients’ Investigation In Modern FPGA Circuits Авторы: Сорокоумов Г.С., Бобровский Д.В., Чумаков А.И.

8. The analysis of ambient temperature influence on digital ICs electrical overstress pulse hardness Авторы: Герасимчук О.А., Скоробогатов П.К., Епифанцев К.А.

Представленные доклады пользовались большим интересом среди участников конференции – ведущих специалистов, молодых ученых и аспирантов из России, Словении, Турции, Польши, Франции, Австрии, США, Бельгии, Голландии и Швейцарии.

4